Preparation of Cu3SbSe4 Doping with Aluminum and Studying on its Thermoelectrical Properties

الملخص

في هذا البحث تمت دراسة خصائص الانتقال الكهربائي الحراري والناقلية الكهربائية للمركب Al_xSe₄ Cu₃Sb_1-x (x = 0, 0.03, 0.05 and 0.07) ولمدى من درجات الحرارة المطبقة  (298 – 553) Kوقد اظهرت النتائج  ان الزيادة في قيمة ( x = 0) to (x =0.07), زيادة في تركيز الفجوات من( 2.03×10¹⁸ الى 2.82 × 10¹⁸ cm^-3) تبعا لتغير احلال او استبدال Al^{3+ مكان} Sb⁵⁺ والذي سوف يؤدي الى نقصان كبير في قيم المقاومية الكهربائية  للمركب  Cu₃Sb_1-xAl_xSe₄، وفي نفس الوقت فان الزيادة الحاصلة في تركيز  الفجوات سوف تؤدي الى انتقال من حالة الهبوط الحاد عند (x = 0)الى النزول التدريجي او الجزئي عند(x = 0.05, 0.07) وان حالة الاستقرار ستكون عند x = 0.07))  وان عامل القدرة (PF)لكل النماذج المشوبة Cu₃Sb_1-xAl_xSe₄ ظهر هنالك تحسن فيما يخص تركيز الفجوات .وان العامل k_{L  و}والذي يمثل عامل التوصلية الحرارية للشبيكة يتناقص في حالة الزيادة العالية من التشويب  أي عند النموذج(x =0.07) ،وكنتيجة نهائية فان المؤشر الكبير  لقيمة  ZT = 1.28 والتي تم الحصول عليها للمركب ذو الصيغة Cu₃Sb_0.97Al_0.03Se₄   في درجة  458K, كبيرة بقدر خمسة مرات  كما لو في النموذج Cu₃SbSe₄والذي يمثل المركب بدون تشويب